长鑫存储拟年底推出4F²架构DDR5服务器内存，采用垂直环绕栅极晶体管

据鉅亨網10月12日报道，长鑫存储（CXMT）计划在今年年底推出采用4F²架构的新一代DDR5 RDIMM服务器内存。目前主流DRAM多采用6F²单元布局。4F²进一步压缩了单个存储单元的占地面积，可以提高存储密度，绕开现有制程微缩的瓶颈。长鑫这一设计的关键是垂直环绕栅极（VSG）晶体管：沟道垂直放置，栅极从四周把它包住，控制能力更强，能减少漏电和短沟道效应，晶体管本身也更省面积。报道称，长鑫已有超过300个与4F²相关的公开专利族。三星和SK海力士也在走同一方向，推进4F²与垂直沟道晶体管（VCT）路线。据鉅亨網5月报道，4F²结构可比传统6F²提高单元密度30%至50%；三星规划10a制程DRAM于2026年完成开发、2027年质量测试、2028年量产，SK海力士则计划在10b节点导入。长鑫近期动作密集：LPDDR6于8月进入量产，第五代DRAM平台G5于9月量产。按报道引用的数据，长鑫2026年第二季度全球DRAM份额约7%，排名第四。

4F²加垂直晶体管，是DRAM在10纳米以下继续微缩的主要路径，三星、SK海力士都把它排在2027至2028年前后。长鑫若能按计划在年底把4F²产品推向服务器市场，国产存储就不只是在成熟制程上追赶，而是在下一代单元架构上与韩国厂商站上了同一赛道。

对存储行业而言，4F²结构的密度提升会直接影响单位比特成本；长鑫若率先量产，通用DRAM与服务器内存的价格竞争可能加剧。对国内半导体产业链而言，垂直晶体管需要新的刻蚀、沉积和材料工艺，设备与材料供应商的配套能力将受到检验。