韩媒称三星拟用台积电3纳米为英伟达定制HBM4E制造基底裸片

据鉅亨網转述韩国《首尔经济日报》10月18日的报道，英伟达要求三星电子、SK海力士和美光统一HBM规格：基底裸片（base die）一律用台积电3纳米制程，核心裸片用第六代（1c）DRAM。报道援引未具名消息人士称，三星存储业务部门经内部评估后已接受这一要求，但范围只限英伟达的定制HBM4E；标准HBM以及AMD等其他客户的产品，仍由三星自家一条龙（turnkey）生产。三星目前已量产的HBM4和正在做量产验证的HBM4E，基底裸片都用的是自家4纳米工艺。报道还说，三星正在测试能否在自家产线生产英伟达的基底裸片，以防台积电产能不够。三星、台积电和英伟达均未就此公开回应。

三星同时做存储和晶圆代工，过去主推存储、逻辑裸片和封装全部自己做的一条龙方案。如果最大客户英伟达把基底裸片指定给台积电，三星就要在关键产品上让出代工环节。英伟达借此把三家供应商拉到同一套规格上，验证工作会简单很多。

如果报道属实，三家HBM供应商的英伟达订单基底裸片都会交给台积电，台积电3纳米需求随之增加。三星晶圆代工则少了一项争取HBM逻辑裸片订单的筹码。HBM市场的竞争会更多落在DRAM核心裸片和封装上。