长鑫存储第五代平台量产：四重曝光做到11.95纳米，同步推出两款24Gb LPDDR5X

长鑫存储（长鑫科技，CXMT）9月20日在2026世界制造业大会上宣布，第五代技术平台（G5）已进入正式量产。公司披露，内存阵列有源区半间距为11.95纳米，采用四重曝光工艺；存储电容深宽比为45:1；每片晶圆产出的芯片数较第四代平台增加至少50%。同步亮相的两款24Gb LPDDR5X芯片也已量产，单颗容量较上一代同类产品提高50%，面向智能手机等移动设备。公司称相关产品已进入国产主流旗舰手机。长鑫副总裁罗晓东表示，其制程能力已与业界最先进的量产节点相当。South China Morning Post称，三星电子和SK海力士目前采用10纳米级工艺；鉅亨網则提到，美国自2022年起限制中国获取先进芯片制造设备，长鑫的研发结合了计算机模拟及与国产设备厂商的合作。

DRAM是中国大陆与国际头部厂商仍有明显差距的芯片品类。长鑫在缺少EUV光刻机的条件下，以多重曝光把关键尺寸推进至接近三星、SK海力士10纳米级产品的区间，同时将每片晶圆芯片数提高至少50%。这既影响产品性能，也关系到单位成本和价格竞争力。

24Gb LPDDR5X进入国产旗舰手机后，国内手机厂商在高端移动内存上增加了非韩系供应选择。晶圆产出提高至少50%有望摊薄单位成本，但最终效果仍取决于良率和产能爬坡。四重曝光还会增加刻蚀、薄膜与量测环节的需求，国产设备和材料厂商可能因此获得更多验证机会。