长鑫科技拟投349亿元建研发项目与晶圆测试基地二期

长鑫科技（长鑫存储母公司，CXMT）9月28日晚发布公告，计划新建两个项目，规划总投资合计349亿元，约合52亿美元。其中技术研发项目规划总投资241亿元，建设期30个月，拟动用超募资金130亿元；存储器晶圆后道测试基地二期项目规划总投资108亿元，落在合肥，由全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司实施，公司将以增资加借款的方式向其提供超募资金50亿元，用于建一座测试工厂，承担DRAM芯片测试和模组组装。两个项目合计动用超募资金180亿元。公司在公告中解释，测试是DRAM生产中不可缺少的环节，自建测试产能是为了不让测试成为产能瓶颈，同时保障供应链安全。这笔投入发生在DRAM供应持续偏紧、公司业绩大幅扩张的阶段：今年一季度营收508亿元，同比增长719.13%。

长鑫是中国大陆最大的DRAM厂商，上市后首笔大额超募资金去向集中在研发和后道测试，说明它把追赶三星、SK海力士、美光的重点放在技术迭代和产能配套上，而不只是扩前道晶圆产能。

研发项目的大部分支出预计用于设备采购，国内半导体设备、材料和封测配套企业可能获得新增订单；自建测试产能也会减少长鑫对外部封测厂的依赖。