美光财报后再看存储周期：HBM预计2027年吃掉三成以上DRAM晶圆

鉅亨网10月5日刊出的编译分析，以美光最新财报为起点重新评估存储周期。美光上季营收542亿美元、净利润384亿美元、毛利率87%，本季营收指引615亿美元；DRAM均价季增十几个百分点，NAND均价涨幅约30%。文章测算，HBM占DRAM晶圆投片的比例将从2025年的18%升至2027年的30%以上，但对总容量的贡献只有约13%，相当于每三片新增先进晶圆就有一片被HBM“空耗”。2027年DRAM供给增速约24%，文章认为只要需求增速守住22%以上就不会过剩，若维持25%市场依然紧缺。中国方面，2027年服务器DRAM需求预计达6.63EB，长鑫当年每月新增晶圆约7万片，文章判断扩产仍难追上中国算力需求的增长。

HBM单位容量消耗的晶圆远多于普通DRAM，AI芯片对HBM的需求正在挤占常规内存产能，这是近期手机等终端因内存成本涨价的上游原因。

若HBM晶圆占比按此路径上升，常规DRAM供给偏紧可能延续到2027年，存储厂商定价权增强，终端厂商的内存成本压力持续。