长鑫存储启动HBM3E风险试产，年底DRAM月产能目标35万片晶圆

鉅亨網9月1日凌晨援引美国科技媒体报道称，中国大陆最大的DRAM厂商长鑫存储（CXMT）已经启动HBM3E高带宽内存的风险试产。风险试产属于产线验证阶段，出货量很小，作用是把良率、堆叠工艺和封装环节跑通，为后续放量做准备。同一报道给出的产能口径是，长鑫存储的DRAM月产能预计到今年底达到35万片晶圆；按JEDEC规范，HBM3E采用1024位接口，单引脚速率区间为9.2Gbps至12.4Gbps，在9.6Gbps的典型配置下单颗带宽约1.2TB/s。这一步之所以受关注，在于国产AI加速器长期卡在内存供给上：算力芯片本身可以设计，配套的高带宽内存却依赖进口。Fortune在8月2日的报道中援引分析人士的判断，认为长鑫存储在芯片性能上仍落后SK海力士、三星和美光两到三代，每比特成本还要高出两到三成；中国在存储领域的分量在上升，但还谈不上全面追平。KED Global则记录了这家公司通过科创板IPO募资约43亿美元，资金用途正是缩小与两家韩国对手的技术差距。三条线索放在一起看，HBM3E风险试产是从零到一的节点，不是从落后到追平的节点。

国产AI芯片的瓶颈近年从算力设计转向高带宽内存供给。长鑫存储是中国大陆唯一具备自研DRAM基底、有条件向HBM延伸的厂商，产线一旦跑通HBM3E，国产加速器就多了一条不依赖进口的内存路径。风险试产还不等于可用产品，但它把这条路径从纸面推进到了产线。

对国产AI加速器厂商来说，这意味着中期内可能出现一个本土HBM供应选项，采购和产品规划会开始把它列入备选。对三星、SK海力士和美光来说，短期冲击有限——按Fortune援引的判断，性能差距仍有两到三代，成本每比特还高出两到三成，长鑫的价格优势暂时盖不住这块劣势。真正的变量在产能：35万片晶圆的DRAM月产能目标决定了它能分出多少产线做HBM，而HBM对晶圆的消耗远高于普通DRAM。