西电联合港城大、复旦在Science报告AlScN铁电存储耐久性提升百倍

西安电子科技大学联合香港城市大学、复旦大学的研究团队，本周四（9月10日）在《科学》（Science）期刊发表论文，报告在纤锌矿结构铁电材料——铝钪氮（AlScN）上实现了超过100亿次的写入循环。据《南华早报》9月13日报道，此前这类器件通常写入约1亿次后就会失效，新成果把耐久性提高了约100倍，离商用存储器所要求的数十亿次门槛更近了一步。AlScN之所以被视为下一代存储材料的候选，是因为它切换速度快、能耗潜力低，又与现有半导体制造工艺兼容；但反复电学切换后的性能退化一直是拦路虎。研究团队的思路是限制材料内部氮空位的迁移，从缺陷层面抑制退化。该成果先由《西安日报》于周六报道，《南华早报》随后跟进。对存储产业而言，这是一项材料学层面的具体进展：它没有改变DRAM和NAND的现有格局，但让铁电存储这条候选路线在可靠性指标上补齐了短板，后续是否有产业界的中试和流片验证值得关注。

铁电存储是业内讨论多年的DRAM/NAND之后候选路线之一，AlScN的优势在于与主流半导体工艺兼容，此前的核心短板正是耐久性不足。把写入循环从1亿次量级推到100亿次以上，意味着可靠性这项关键指标首次进入商用讨论范围。这是一项可量化的材料学突破，而不是产业政策叙事。

短期内不影响现有存储器厂商的产品和价格。中长期看，若该方案能在标准产线上复现，AlScN铁电存储在AI推理和高性能计算的高频写入场景中会获得更多产业化尝试的机会，中国高校在新型存储材料领域的话语权也会增强。