长鑫押注4F²新型DRAM架构，第六代平台完成工程样片验证

长鑫科技正把下一代DRAM押在4F²架构上。总裁曹堪宇10月10日在第四届集成芯片和芯粒大会上表示，公司计划年底前推出采用4F²架构的新一代DDR5 RDIMM服务器内存，核心是自研的垂直环绕栅极（VSG）晶体管，相关公开专利族已超过300件。10月30日的三季度业绩交流会上，公司又首次明确第六代工艺技术平台基于4F²架构，并称该平台已完成工程样片验证，客户端验证完成后才进入规模量产。目前主流DRAM采用6F²单元，4F²理论上能把单元面积缩小约三分之一。长鑫预期芯片面积可缩小约30%，从而提高单片晶圆产出、压低单位成本。这条路线并非业界共识。美光技术与产品长Scott DeBoer在10月21日的研讨会上表示，美光研究过4F²，也做过原型，但决定继续沿用6F²，再适时转向3D DRAM。他的理由是：电容间距不能同步缩小，密度优势就难以兑现，工艺成本也会上升。野村预计长鑫4F²要到2027至2028年才可能量产，中信证券认为其良率、产能和客户认证仍待观察。

DRAM单元架构决定了密度和成本的长期曲线。长鑫一边在6F²上追赶海外龙头，一边另开4F²路线：量产顺利，单位成本可能获得结构性优势；良率和认证卡住，投入就会成为负担。美光公开表示不跟进，说明头部厂商对这条路线的技术经济判断确有分歧。

短期看，长鑫的4F²进展已经影响全球存储股情绪，但实际供给变化要等客户验证和量产。中期看，若长鑫年底如期推出4F² DDR5 RDIMM并通过客户认证，国产服务器内存的成本和供给能力会明显改善。瑞银研究认为三星可能在2028年底前导入4F²，届时竞争焦点会转向良率与规模。